（一）故障解析

■概　要

所謂故障，是針對發生故障的樣品，為了明確其結構原理，使用各種解析技術特定發生故障的位置，并且究明其物理原因和化學原因。Qualtec特別重視特定原因的再現實驗。

■解析步驟

通常，故障解析按照以下所示步驟進行。

（1）把握故障狀況：確認以下項目。

 ①対象物的故障癥狀：短路、開路、異常動作等，在不明確癥狀的情況下，難度變高。　　       

 ②發生頻度：如果不再現癥狀的情況下，解析難度變高。

 ③確認包括周圍環境在內的使用狀況。

 ④確認生產批次。

（2）討論解析手法：在上述①～④信息和客戶要求（包括費用）的基礎上，討論并 提出最合適的解析方法。

（3）遂行解析手法：在了解手法的基礎上，實施解析，特定故障位置和究明要因。以下展示代表性手法。　　

 ①外觀觀察：使用顯微鏡等各種光學測定器，推定數個故障原因，無一遺漏地詳細觀察樣品。這是故障解析最為重要的手法。

 ②電氣特性評價：對癥狀進行再現確認。（P.84）。

 ③非破壞解析：外觀觀察無法查明原因的情況下，不破壞與故障有關的內部信息，對樣品進行觀察。代表性解析手段如下所示，此外也根據樣品的具體情況提示最適合手段。　　　

 代表性非破壞解析手段：X線透視觀察（P.78）、X線CT觀察（P.80）、超音波顯微鏡觀察（P.82）、發熱解析（P.88）

 ④破壞解析：非破壊解析為了確認非破壞解析推定的原因和調查非破壞解析無法明確的原因，需要十分細心注意，利用樣品斷面觀察、開封觀察等物理手段特定故障位置。

 ⑤再現實驗驗證：圍繞①～④的要因，使用各種手段再現并檢驗。

（4）報告書做成：將解析結果做成平易理解的報告書，同時根據具體情況也可以提示關于故障的預防對策方案。

（二）良品解析

■概　要

良品解析是指FMEA和FTA等產品故障的未然防止手法之一，使用各種分析技術評價電氣性良品產品，并檢查出潛在性存在的問題點的手法。與故障解析不同。故障解析只針對故障要因進行調查，而良品解析因為必須找出潛在問題點所以廣泛性調查。但是兩者的必要設備和技術是一樣的。

■良品解析步驟

以下是以IC為例的代表性檢查項目。

①外觀檢查：使用各種光學機器觀察封裝和端子，如下述項目。

?封裝外觀（污染、異物附著、劃痕、裂縫、樹脂毛刺等）

?端子（変形、壓痕、電鍍起斑等）

?蓋章表示

②X線透視檢查（P.78）：作為一種非破壞檢查手法，觀察封裝內部狀態。

?封裝內的芯片部品位置偏移

?引線邦定狀態（斷線、引線流向、邦定狀態等）　　　　　　　

?晶粒接著狀態(粘膏形狀等）

③測定電氣靜特性（P.84）：評價IC內部的二極管和晶體管等各種半導體元件的IV特性是否在仕樣的范圍內。

④超音波顯微鏡觀察（P.82）：作為一種非破壞檢查手法，X線透視觀察主要觀察封裝內部難以發現的空隙和裂縫。

⑤斷面觀察：是一種破壞性檢查手法，制作出各部分的斷面樣品，利用光學或者SEM觀察以下所示各部分項目。

?端子異常（劃痕、電鍍起斑、空隙等）、

?封裝異常的芯片焊接的狀態(粘膏形狀等）

?芯片焊接的狀態(粘膏形狀等）

?引線邦定狀態（金屬間化合物的生成狀態等）

⑥IC開封（P.302）：是一種破壞性檢查手法，觀察IC芯片表面狀態（劃痕、裂縫、AIpad的紋理狀態等）

⑦引線邦定評價（P.86、P.302）：開封后使用強度試驗機等裝置評價引線邦定的接合狀態。