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一、測試方法及要求
將待測試樣品選取套片BGA區域裁切成30mm*20mm的測試樣品. 任選樣品下BGA PAD,選擇大于PAD 0.05mm大小的錫球進行植錫,以1000mm/s的速度25μm的剪切高度進行推球及拉球測試。如發生推球時發生干擾;斷裂面在錫球但高度高于25μm;斷裂位置為錫球底部;均判定為失效模式,需重新取樣進行測試。
二、判定要求
當斷裂面在錫球且低于25um或斷裂面在PCB PAD底部,且NSMD PAD 推力>300g以上,SMD PAD 推力>250g以上時為合格,斷裂面在IMC層為不合格。
三、推球結果參考:斷裂面在錫球且低于25um
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