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斷面離子研磨(CP)

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1
概要

使用離子研磨法,為高倍率SEM觀察制作細微且高精度的斷面試料。

2
特征

可以對機械研磨難以加工的高分子和金屬,復合材料等各種試料進行無應力加工,在無變形、不破壞試料的結晶構造的情況下,可以對積層形狀、結晶狀態、異物斷面進行解析。

3
原理

原理:用廣域Ar離子光束照射試料,利用試料原子飛散的濺射現象加工試料。

加工方法:在試料正上方放置濺射速度緩慢的遮擋板,通過從上而下的廣域Ar離子光束照射,濺射從遮擋板底部露出的試料,制作出沿著遮擋板端面的斷面。

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4
用途

金屬邦定接合部位斷面

焊接部位斷面

確認薄膜厚度

5
示例-金屬邦定結合位置斷面

斷面位置觀察

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通過EDS觀察對Cu wire bonding進行元素mapping

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